#HBM高带宽内存

长江存储三期项目计划2026年建成投产，目前正安装巨型洁净厂房设备。该项目注册资本207.2亿元，将带动上下游200家企业集聚。据悉，该厂将生产NAND闪存并配套50%DRAM制造产能，同时与本土企业合作研发HBM高带宽内存。预计2026年全球市场份额将突破10%，成为存储产业重要力量。