在全球内存价格持续飙升的当下，中国DRAM巨头长鑫存储的138美元破盘价策略，引发存储器市场剧烈震荡。

长鑫存储针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组推出138美元价格，仅为当前国际市场300~400美元行情的三分之一，瞬间引发全球市场震动。

此低价举措点燃市场恐慌情绪，投资者担忧存储器产业将再度陷入红海竞争。此前3日早盘回暖的内存板块随即承压下挫。

DRAM双雄华邦电、南亚科首当其冲，当日分别暴跌9.05%和5.61%。群联、品安、晶豪科等个股跌幅均逾半根停板。

市场波动背后是全球存储器结构性变化。AI运算需求爆发推动存储器进入新超级循环，2025年底产品售价大幅上涨，打乱2026年电子生产布局。

中国存储厂商加速布局抢占机遇。

长鑫存储加速扩建上海厂区，规划规模达合肥总部2-3倍，聚焦服务器、PC及车用DRAM生产。

上海厂区2026年下半年启动设备装机，2027年投产将显著提升全球DRAM供给能力。

长江存储武汉三期项目或提前至2026年下半年量产，调整策略将50%产能转向DRAM，开启NAND与DRAM双领域发展。

Yole Group分析指出，全球内存供给吃紧为新兴厂商创造机遇，中国政策支持推动客户寻找替代供应。

中国存储厂商崛起将深刻影响全球存储器竞争格局。